BULB742C-1

BULB742C-1是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管（BJT），采用NPN型结构，设计用于在严苛的电气环境中提供稳定可靠的开关与线性放大功能。其核心架构基于成熟的平面工艺，通过优化的芯片布局和封装设计，实现了高击穿电压与大电流承载能力的平衡。该器件采用TO-262（IPAK）封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和机械强度，便于通过通孔方式安装在散热器上，确保在高功率耗散下的长期工作稳定性。

该晶体管具备400V的集电极-发射极击穿电压和4A的最大集电极电流，使其能够从容应对工业电源、电机控制等场合中的高压瞬态和持续负载。其饱和压降在典型工作条件下（1A， 3.5A Ib）仅为1.5V，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统的能效。同时，器件在800mA集电极电流和3V集电极-发射极电压下的直流电流增益（hFE）最小值为25，保证了良好的电流驱动能力和信号放大线性度。其集电极截止电流被严格控制在250A以内，有效降低了关断状态下的漏电损耗。

在接口与参数方面，BULB742C-1定义了清晰的电气边界。其最大功耗为70W，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了它强大的热管理余量。用户可以通过正规的ST代理渠道获取完整的数据手册，其中详细规定了所有极限参数和安全工作区（SOA），这对于设计高可靠性的电路至关重要。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在现有系统的维护和特定设计中仍具参考价值。

这款器件典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）中的功率开关、电子镇流器、电机驱动控制器以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换级。其高压特性使其特别适用于直接整流后高压直流母线的开关与控制，例如在功率因数校正（PFC）电路或半桥/全桥拓扑中作为开关元件。对于需要处理数百伏电压和数安培电流，同时又要求器件具备坚固耐用特性的工业与消费电子功率应用，BULB742C-1曾是一个经典的选择。

• 型号:BULB742C-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:25 @ 800mA，3V
• 功率 - 最大值:70 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 想获取BULB742C-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BULB742C-1是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。该器件设计用于处理高达400V的电压和4A的电流，最大功耗为70W，适用于高功率开关和放大电路。

其关键特性包括较低的饱和压降（1.5V @ 1A， 3.5A Ib），有助于减少导通损耗，以及最小25的直流电流增益，确保有效的电流驱动能力。器件采用TO-262（IPAK）通孔封装，提供优良的散热性能，支持最高150°C的结温工作环境，适合要求高可靠性的工业级应用。