PD84010-E

PD84010-E是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造。该器件专为工作在870MHz频段的高效率、高线性度功率放大应用而设计，其核心架构优化了功率密度与热管理性能。PowerSO-10RF封装集成了裸露的底部焊盘，配合两条成形引线，显著提升了散热效率，确保器件在持续高功率输出下的稳定性和可靠性。

该晶体管在7.5V测试电压和300mA测试电流条件下，能够提供高达2W的射频输出功率，同时实现16.3dB的功率增益，这使其在驱动级或末级放大应用中能有效提升系统整体增益预算。其额定工作电压高达40V，额定电流为8A，展现了良好的电压耐受性和电流处理能力，适合在要求较高动态范围和功率余量的场景中使用。尽管其噪声系数参数未在标准规格中明确标注，但其LDMOS结构本身在射频功率应用中通常具备优异的线性度与效率平衡特性。

在接口与参数方面，PD84010-E的电气特性围绕870MHz的中心频率进行优化，设计工程师需依据其S参数和负载牵引数据来设计匹配网络，以充分发挥其性能。其封装形式便于PCB布局和焊接，裸露焊盘设计要求与系统散热结构良好耦合，这是实现其最大额定功率的关键。值得注意的是，该器件目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑供应链的替代方案，但现有库存或既有系统维护仍可通过专业的ST代理渠道获取支持。

PD84010-E典型的应用场景包括870MHz频段的专业移动无线电（PMR）、专用无线通信基础设施、射频能量传输以及工业加热/感应设备中的功率放大级。其高增益和2W的输出能力使其非常适合作为推动级晶体管，驱动更高功率的末级放大器，或在中等功率要求的终端设备中作为核心放大元件。在系统设计中，需重点关注其偏置电路设计、热管理和输入输出阻抗匹配，以确保长期工作的稳定性和性能的最优化。

• 型号:PD84010-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD84010-E是ST意法半导体生产的一款采用LDMOS技术的射频功率FET，核心工作频率为870MHz。该器件在7.5V/300mA的测试条件下，可提供2W的射频输出功率，并实现高达16.3dB的功率增益，为系统提供了显著的增益提升能力。

其额定电压和电流分别为40V和8A，采用带裸露底部焊盘的PowerSO-10RF封装，确保了良好的散热性能和电气可靠性，适用于要求高效率、高线性度的射频功率放大场景。需要注意的是，该产品目前已停产，主要服务于既有系统的维护与备件需求。