STF30NM50N

STF30NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）。这种架构的核心优势在于其超结（Super-Junction）原理，通过交替排列的P型和N型柱体，实现了对漂移区电场的优化控制，从而在500V的漏源电压（Vdss）等级下，达成了优异的导通损耗与开关性能平衡。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可支持高达27A的连续漏极电流，其导通电阻在10V栅极驱动电压、13.5A测试条件下典型值仅为115毫欧，这一特性对于提升系统效率至关重要。其栅极电荷（Qg）典型值在10V条件下为94nC，结合2740pF的输入电容（Ciss），表明器件具备较快的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，并支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕且稳定的驱动设计窗口。

在封装与可靠性方面，STF30NM50N采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为40W（Tc）。器件结温（TJ）最高可工作至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。值得注意的是，该产品系列已处于停产状态，在进行新设计选型时，建议通过官方ST代理渠道咨询替代产品或库存信息。

凭借500V的高压耐受能力和出色的导通特性，该器件主要面向要求高效率和高可靠性的功率转换领域。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级。在这些应用中，其低Rds(on)特性直接有助于降低导通损耗，而优化的开关特性则能提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STF30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF30NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C壳温下27A的连续漏极电流承载能力。

其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为115毫欧。同时，器件具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）低至94nC，有助于实现高效率的高频开关操作。该MOSFET采用坚固的TO-220FP通孔封装，最大功耗为40W，最高工作结温达150°C，确保了在工业级应用中的鲁棒性与可靠性。