STGW35NC120HD

作为ST意法半导体PowerMESH产品系列中的一员，STGW35NC120HD是一款采用TO-247-3封装的标准型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件集成了1200V的集射极击穿电压与60A的连续集电极电流能力，其设计旨在为高功率开关应用提供坚固可靠的性能。其核心架构基于成熟的沟槽栅场截止技术，这种技术优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，使得器件在高压、大电流条件下仍能保持高效运行。

在功能表现上，该器件在典型工作条件下展现出较低的饱和压降，Vce(on)最大值仅为2.75V @ 15V Vge， 20A Ic，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。其开关特性经过精心优化，开启延迟时间（Td(on)）为29ns，而关断延迟时间（Td(off)）为275ns，配合1.66mJ（开启）与4.44mJ（关断）的开关能量值，表明它在保证快速响应的同时，也兼顾了开关过程的控制性，有助于减少电磁干扰。110nC的栅极电荷要求简化了栅极驱动电路的设计。

该IGBT的接口与关键电气参数定义了其应用边界。其最大功耗为235W，脉冲集电极电流（Icm）可达135A，提供了可观的过载能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性。其标准输入类型使其与常见的驱动电平兼容。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取相关的技术资料与库存信息。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

基于其1200V/60A的额定规格与稳健的开关性能，STGW35NC120HD非常适用于工业电机驱动、不同断电源（UPS）、焊接设备和太阳能逆变器等中高功率应用场景。在这些领域中，器件需要承受高电压应力并处理可观的电流，其TO-247封装也为散热设计提供了便利，允许通过外加散热器有效管理高达235W的功耗，从而构建高效、紧凑的功率转换解决方案。

• 型号:STGW35NC120HD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 60A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):135 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:235 W
• 开关能量:1.66mJ（导通），4.44mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:110 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns
• 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):152 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STGW35NC120HD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGW35NC120HD是ST意法半导体推出的一款高压大电流IGBT，隶属于PowerMESH系列，采用标准的TO-247-3通孔封装。其核心规格为1200V集射极击穿电压与60A连续集电极电流，最大功耗达235W，能够满足严苛的功率处理需求。

该器件的关键优势在于其优化的导通与开关特性。其饱和压降典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其开关能量与延迟时间参数经过平衡，在确保快速开关响应的同时，也利于控制开关噪声与损耗。这些特性使其成为工业驱动、电源转换等中高功率应用的可靠选择。