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STL20DN10F7
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STL20DN10F7技术资料
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STL20DN10F7
场效应管阵列
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56
原厂封装：
PowerFlat
优势价格，STL20DN10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STL20DN10F7的技术资料下载
STL20DN10F7的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STL20DN10F7
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56
系列：DeepGATE， STripFET VII
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 2.5A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：408pF @ 50V
功率 - 最大值：62.5W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-PowerVDFN
ST出厂封装：PowerFlat（5x6）
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