STP36NF06FP

作为STripFET II产品系列的一员，STP36NF06FP是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，通过优化的单元密度和沟槽设计，有效降低了通态损耗和栅极电荷，这对于提升功率转换效率至关重要。该器件采用TO-220FP封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，其引脚布局也便于在通孔安装应用中实现可靠的机械连接和电气隔离。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、15A漏极电流条件下仅为40毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。配合最大31nC的栅极总电荷（Qg），使得开关过程中的驱动损耗得以控制，有利于在高频开关电源等应用中实现更高的整体效率。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达18A，提供了稳健的功率处理能力。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与易用性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）最大值为690pF，结合较低的Qg，简化了栅极驱动电路的设计。器件最大功耗为25W（Tc），并且拥有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），这使其能够适应苛刻的环境条件。对于关键的设计与采购，建议通过正规的ST授权代理渠道获取产品技术支持和原装器件。

基于其性能参数，STP36NF06FP非常适用于需要高效功率切换的中等功率应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、开关模式电源（SMPS）的初级或次级侧整流与同步整流，以及各类工业控制板中的负载开关。其TO-220FP封装使其成为许多通孔PCB设计中进行功率升级或替换时的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类产品中仍具有参考价值。

• 型号:STP36NF06FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP36NF06FP是ST意法半导体推出的STripFET II系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡，其最大导通电阻低至40毫欧（@10V，15A），同时栅极电荷最大值仅为31nC，这有助于在应用中实现低传导损耗和高频开关效率。

该MOSFET的额定电压为60V，在壳温条件下可持续通过18A电流，最大功耗25W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和±20V的栅源电压耐受能力，确保了其在各种工业与电源管理应用中的可靠性和鲁棒性。