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ESM2012DV
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ESM2012DV技术资料
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ESM2012DV
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
原厂封装:
ISOTOP
优势价格,ESM2012DV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ESM2012DV的技术资料下载
ESM2012DV的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:ESM2012DV
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:-
零件状态:停产
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流-集电极(Ic)(最大值):120A
电压-集射极击穿(最大值):120V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):1.5V @ 1A,100A
电流-集电极截止(最大值):-
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):1200 @ 100A,5V
功率-最大值:175W
频率-跃迁:-
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:ISOTOP
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