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    PD20010STR-E的图片

    PD20010STR-E

    ST图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 射频
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
    原厂封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
    优势价格，PD20010STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    PD20010STR-E的技术资料下载
    电话询问价格
    PD20010STR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：PD20010STR-E
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：2GHz
  • 增益：11dB
  • 电压-测试：13.6V
  • 额定电流（安培）：5A
  • 噪声系数：-
  • 电流-测试：150mA
  • 功率-输出：10W
  • 电压-额定：40V
  • 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
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