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PD57006STR-E
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PD57006STR-E技术资料
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PD57006STR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
原厂封装:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
优势价格,PD57006STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PD57006STR-E的技术资料下载
PD57006STR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:PD57006STR-E
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
零件状态:停产
晶体管类型:LDMOS
频率:945MHz
增益:15dB
电压-测试:28V
额定电流(安培):1A
噪声系数:-
电流-测试:70mA
功率-输出:6W
电压-额定:65V
封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
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