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PD85035STR-E
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PD85035STR-E技术资料
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PD85035STR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
原厂封装:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
优势价格,PD85035STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PD85035STR-E的技术资料下载
PD85035STR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:PD85035STR-E
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
零件状态:有源
晶体管类型:LDMOS
频率:870MHz
增益:17dB
电压-测试:13.6V
额定电流(安培):8A
噪声系数:-
电流-测试:350mA
功率-输出:15W
电压-额定:40V
封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
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