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SCT20N120
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SCT20N120技术资料
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SCT20N120
FET - 单
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，SCT20N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SCT20N120的技术资料下载
SCT20N120的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: SCT20N120
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
系列: -
FET 类型: SiCFET N 通道，碳化硅
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 290 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 400V
功率 - 最大值: 175W
安装类型: 通孔
ST公司封装: TO-247-3
ST出厂封装: HiP247
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