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SCT30N120H的图片

SCT30N120H

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

原厂封装：H2Pak-2

优势价格，SCT30N120H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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SCT30N120H的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：SCT30N120H

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：105nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：270W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：H2Pak-2

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