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SCTH50N120-7
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SCTH50N120-7技术资料
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SCTH50N120-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
PTD WBG & POWER RF
原厂封装:
-
优势价格,SCTH50N120-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SCTH50N120-7的技术资料下载
SCTH50N120-7的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:SCTH50N120-7
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:PTD WBG & POWER RF
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C时电流-连续漏极(Id):-
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:-
器件封装:-
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