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SCTL35N65G2V的图片

SCTL35N65G2V

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

原厂封装：PowerFlat?（8x8）HV

优势价格，SCTL35N65G2V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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SCTL35N65G2V的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：SCTL35N65G2V

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：417W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerFlat?（8x8）HV

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