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    SCTW35N65G2VAG的图片

    SCTW35N65G2VAG

    ST图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
    原厂封装：HiP247?
    优势价格，SCTW35N65G2VAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    SCTW35N65G2VAG的技术资料下载
    电话询问价格
    SCTW35N65G2VAG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：SCTW35N65G2VAG
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：+22V，-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：HiP247?
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