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SCTWA90N65G2V-4
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SCTWA90N65G2V-4价格
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SCTWA90N65G2V-4技术资料
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SCTWA90N65G2V-4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
原厂封装:
HiP247? 长引线
优势价格,SCTWA90N65G2V-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SCTWA90N65G2V-4的技术资料下载
SCTWA90N65G2V-4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:SCTWA90N65G2V-4
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):119A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 50A,18V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):157nC @ 18V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3380pF @ 400V
FET功能:-
功率耗散(最大值):565W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:HiP247? 长引线
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