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1.5KE250A的图片

1.5KE250A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 213VWM 442VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,1.5KE250A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1.5KE250A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

1.5KE250A是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的DO-201AA(DO-27)轴向封装,专为在严苛的电气环境中提供可靠的过压保护而设计。该器件基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,当电路中出现超过其击穿电压的瞬态高压尖峰时,它能迅速响应,从高阻抗状态切换到低阻抗状态,将危险电压钳位在一个安全的水平,从而保护下游的敏感电子元件免受损坏。

该器件的关键性能参数体现了其强大的保护能力。其标称反向关断电压(VRWM)为213V,最小击穿电压(VBR)为237V,确保了在正常工作电压下的高可靠性。其最突出的特性是能够承受高达1500W(1.5kW)的峰值脉冲功率,在标准的10/1000s测试波形下,可泄放高达23A的峰值脉冲电流(IPP),并在此时将电压钳位在最大值442V。这种高功率处理能力和快速钳位响应的结合,使其能有效吸收来自雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)等事件产生的能量。其560pF @ 1MHz的结电容特性,使其适用于对信号完整性有一定容忍度的通用电源线路保护,而非高速数据线。

在接口与参数方面,1.5KE250A作为单向器件,仅对一个方向的过压进行钳位,因此在应用时需要确保其极性与被保护信号的极性正确匹配。其通孔安装(THT)的DO-201AA封装提供了坚固的物理结构和良好的散热特性,便于在PCB板上进行可靠的焊接。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取稳定的货源和深入的应用指导。

凭借其通用型的设计和高功率等级,该芯片广泛应用于工业控制系统、电源适配器、通信设备、汽车电子以及家用电器等领域的AC-DC电源输入端、DC总线或信号线的保护。它常被部署在保险丝或压敏电阻(MOV)之后,作为二级或精细保护元件,构成多级防护电路,共同提升整个电子系统的抗浪涌能力和长期稳定性。

  • 型号:1.5KE250A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 213VWM 442VC DO201
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):213V
  • 电压 - 击穿(最小值):237V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):442V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):23A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:560pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
  • 想获取1.5KE250A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

1.5KE250A是ST意法半导体生产的一款1500W峰值功率单向TVS二极管,属于TRANSIL系列。该器件设计用于抑制高能瞬态电压,其核心参数包括213V反向关断电压、237V最小击穿电压,以及在23A峰值脉冲电流下最大442V的钳位电压,提供了强大的电压抑制和能量吸收能力。

其DO-201AA轴向封装确保了通孔安装的可靠性与散热性能。560pF的结电容使其主要适用于通用电源线路的浪涌保护,而非高速信号线路。该器件是构建工业、通信及消费电子设备中稳健过压保护电路的理想选择。

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