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1.5KE33ARL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 28.2VWM 59VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,1.5KE33ARL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1.5KE33ARL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体TRANSIL系列1.5KE产品线中的一员,1.5KE33ARL是一款采用轴向引线DO-201AA(DO-27)封装的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。其核心架构基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理,通过精心设计的半导体结,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自外部的瞬态高能量脉冲,从而为下游精密电路提供可靠的过压保护屏障。

该器件具备出色的浪涌抑制能力,其核心特性在于高达1500瓦(1.5kW)的峰值脉冲功率,在标准的10/1000s波形测试条件下,能够承受高达169A的峰值脉冲电流。当瞬态电压超过其最小击穿电压31.4V时,器件迅速动作,将过压箝位在最大值59V的水平,有效防止被保护器件因过压而损坏。28.2V的反向断态电压使其非常适合用于保护工作电压在24V或28V左右的直流电源线路和信号线路。其2700pF @ 1MHz的结电容在通用型TVS二极管中属于典型范围,适用于对信号带宽要求不是极端苛刻的多数应用场合。

在接口与参数方面,1.5KE33ARL采用通孔安装方式,便于在PCB板上进行可靠的焊接。其单向导通的特性意味着在电路设计中需要明确区分阳极和阴极,以确保在正向浪涌时也能通过正向导通提供保护,而反向则依靠雪崩击穿机制。尽管该器件目前已处于停产状态,但在存量设备维护或特定设计中仍有应用需求,用户可通过可靠的ST芯片代理渠道获取原装正品,以确保系统长期运行的可靠性。

鉴于其通用型的定位和强大的浪涌吸收能力,这款TVS二极管广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费类电子的电源端口保护。例如,它可以用于保护24V工业传感器或执行器的供电接口,防止因感性负载切换或雷击感应产生的浪涌电压;也可用于车载电子设备的电源输入端,抑制负载突降等瞬态事件。其设计平衡了保护水平与成本,是工程师在需要中等电压等级、高浪涌防护方案时的一个经典选择。

  • 型号:1.5KE33ARL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 28.2VWM 59VC DO201
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):28.2V
  • 电压 - 击穿(最小值):31.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):59V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):169A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2700pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
  • 想获取1.5KE33ARL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

1.5KE33ARL是ST意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其TRANSIL系列的1.5KE产品线。该器件采用DO-201AA轴向封装,核心功能是为电子线路提供高效的过压保护。

其技术参数体现了强大的防护性能:标称反向断态电压为28.2V,最小击穿电压31.4V,能将危险的瞬态过电压箝位在最高59V。最关键的是,它能承受高达1500W的峰值脉冲功率,在8/20s浪涌波形下峰值脉冲电流可达169A,足以应对严苛的工业与汽车环境中的浪涌冲击。2700pF的结电容使其适用于通用的电源和信号保护场景。

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