2N1613

2N1613是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款NPN型双极性结型晶体管（BJT），采用经典的TO-39金属罐封装。其核心架构基于成熟的平面工艺，在硅片上构建了发射极、基极和集电极三个区域，通过精确的掺杂控制形成两个背靠背的PN结。这种结构决定了其电流控制的基本工作模式，即通过微小的基极电流来控制较大的集电极电流，实现信号的放大或开关功能。其金属封装不仅提供了优异的机械强度和热稳定性，其密封特性也确保了芯片在恶劣环境下的长期可靠性。

该器件在电气性能上表现出均衡的特性。其集电极-发射极击穿电压达到50V，集电极连续电流处理能力为500mA，最大功耗为800mW，这些参数使其能够胜任中等功率水平的应用。其直流电流增益（hFE）在典型工作点（150mA， 10V）下最小值为40，提供了稳定的放大倍数。值得关注的是其80MHz的跃迁频率，这使其在音频至中频范围内能保持良好的频率响应，适用于多种模拟信号处理场景。此外，其集电极截止电流（ICBO）低至10nA，体现了良好的反向截止特性，有助于降低电路的静态功耗。

在接口与参数方面，2N1613采用通孔安装的TO-39（也称为TO-205AD）三引脚封装，引脚排列为标准配置，便于在实验板或PCB上进行布局。其饱和压降在典型驱动条件下（Ic=150mA， Ib=15mA）最大为1.5V，这是一个关键参数，直接影响其在开关应用中的导通损耗和效率。其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 200°C）使其能够适应工业级甚至部分军用级环境的要求，展现了出色的环境适应性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设备和经典设计中仍扮演着重要角色，用户可以通过授权的ST代理商咨询库存或替代方案。

基于其性能参数，该晶体管在历史上被广泛应用于多种电子电路。其经典应用场景包括音频功率放大器的前置驱动级、中频信号放大器、线性稳压电源的调整管，以及继电器、电机等负载的中速开关控制。其坚固的金属封装和宽温特性也使其常见于对可靠性要求较高的工业控制设备、通信模块以及测试测量仪器中，作为关键的信号处理或功率控制单元。

• 型号:2N1613
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-39
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 50V 0.5A TO-39
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 150mA，10V
• 功率 - 最大值:800 mW
• 频率 - 跃迁:80MHz
• 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
• 供应商器件封装:TO-39
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2N1613是ST意法半导体生产的一款通用型NPN双极性晶体管，采用TO-39金属封装。其核心电气参数包括50V的集电极-发射极击穿电压、500mA的集电极电流容量以及800mW的最大功耗，适用于中等功率的放大与开关应用。

该器件具备80MHz的跃迁频率，支持音频至中频范围的信号处理，其直流电流增益（hFE）最小值达40，提供稳定的放大性能。宽泛的工作结温范围（-65°C 至 200°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性，而低至1.5V的饱和压降则优化了开关状态下的效率。