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2N2222A

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 40V 0.6A TO-18
原厂封装:封装:TO-18
优势价格,2N2222A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N2222A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2N2222A是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)生产的NPN型双极性结型晶体管(BJT),采用经典的TO-18金属罐封装。其核心架构基于硅平面外延工艺,构建了一个由两个背靠背PN结形成的三端器件,包含发射极、基极和集电极。这种结构使得它能够通过微小的基极电流控制较大的集电极电流,实现电流放大和开关功能,是模拟与数字电路中的基础放大与驱动元件。

该器件在电气性能上表现出色,其集电极-发射极击穿电压高达40V,集电极连续电流处理能力为600mA,这使其能够胜任多种中等电压和电流场景下的应用。高达300MHz的过渡频率确保了它在高频放大和振荡电路中依然能保持良好的线性度和响应速度。其直流电流增益(hFE)在典型工作点(150mA, 10V)下最小值为100,提供了稳定的放大倍数。同时,在饱和状态下,其集电极-发射极饱和压降较低,例如在Ic=150mA, Ib=50mA时最大仅为1V,这有助于降低开关应用中的导通损耗和发热。

在接口与参数方面,2N2222A采用通孔安装的TO-18-3(TO-206AA)封装,具有良好的机械强度和散热性能。其最大功耗为500mW,结合高达175°C的结温工作能力,赋予了它可靠的鲁棒性。极低的集电极截止电流(ICBO最大10nA)意味着在关断状态下具有优异的漏电控制能力。尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计成熟、性能均衡,在市场上仍有广泛的库存和应用基础,用户可以通过正规的ST代理渠道获取原装或可靠的替代产品信息。

凭借其均衡的参数组合,2N2222A在电子设计中应用场景极为广泛。它常被用作小信号放大器,应用于音频前置放大、射频中频放大等电路;其优秀的开关特性也使其成为驱动继电器、LED、小型电机等负载的理想选择;此外,在振荡器、电平转换器以及逻辑接口电路中也能经常见到它的身影。它是工程师进行原型设计、教育实验和许多经典消费电子、工业控制设备中的常备通用型晶体管。

  • 型号:2N2222A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-18
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 40V 0.6A TO-18
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,150mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 频率 - 跃迁:300MHz
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-18
  • 想获取2N2222A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N2222A是一款经典的NPN硅双极性晶体管,由ST意法半导体制造。其核心特性包括40V的集电极-发射极击穿电压和600mA的连续集电极电流处理能力,适用于中等功率的开关与放大应用。

该器件具备高达300MHz的过渡频率,支持高频信号处理。其直流电流增益(hFE)在典型工作条件下最小为100,提供稳定的放大性能,同时集电极-发射极饱和压降较低,有利于提高开关效率。TO-18金属罐封装确保了良好的散热和机械可靠性。

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