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2N4033

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 80V 1A TO-39
原厂封装:封装:TO-39
优势价格,2N4033的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N4033的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的PNP型双极性晶体管,2N4033采用金属TO-39封装,其核心架构基于成熟的合金结工艺,确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。该器件设计用于处理中等功率的开关与放大应用,其内部结构优化了载流子传输效率,从而在指定的工作点上实现了良好的电流增益与频率响应特性。

在电气性能方面,该晶体管具备80V的集电极-发射极击穿电压1A的连续集电极电流能力,使其能够耐受较高的反向电压并驱动一定的负载。其饱和压降在典型工作条件下(Ic=500mA, Ib=50mA)仅为500mV,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升整体系统的能效。此外,高达500MHz的过渡频率使其能够胜任中高频信号放大任务,而集电极截止电流低至50nA(ICBO)的特性则保证了优异的关断特性,减少了静态功耗。

该器件的接口形式为标准的三引脚通孔封装(TO-39),便于在实验板或早期PCB设计中进行安装和焊接。其关键直流参数包括在100mA集电极电流和5V集电极-发射极电压下,最小直流电流增益(hFE)为100,这为设计人员提供了充足的增益余量。最大功耗为800mW,结合高达175°C的结温工作能力,使其能够在相对严苛的热环境下稳定运行。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

鉴于其电压、电流和频率参数组合,2N4033 historically found its place in various analog电路设计中。典型的应用场景包括音频功率放大器的推挽输出级、中频(IF)信号放大器、线性稳压电源中的调整管,以及需要PNP晶体管作为开关或驱动器的工业控制电路。其稳健的金属封装也使其适用于对机械牢固性和散热有一定要求的场合。

  • 型号:2N4033
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-39
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 80V 1A TO-39
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值:800 mW
  • 频率 - 跃迁:500MHz
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-39
  • 想获取2N4033的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N4033是STMicroelectronics生产的一款PNP型双极性晶体管,采用TO-39金属封装。其核心电气特性包括80V的集电极-发射极击穿电压和1A的最大集电极电流,适用于中等功率的开关与放大应用。

该器件在饱和导通时压降低(典型值500mV @ 500mA),有助于减少导通损耗。其直流电流增益(hFE)最小值在指定条件下为100,过渡频率高达500MHz,支持中频范围的信号处理。最大功耗800mW和高达175°C的结温工作能力,确保了其在宽温度范围内的可靠性。

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