2N5416

2N5416是ST意法半导体推出的一款高压PNP型双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-39金属罐封装，以其300V的高集射极击穿电压和1A的集电极电流承载能力为核心设计特征。该器件基于成熟的平面工艺制造，内部结构由发射区、基区和集电区构成，通过精确的掺杂和扩散工艺控制，确保了在高电压工作条件下的稳定性和可靠性。其金属封装不仅提供了优良的机械强度和散热性能，也使其能够适应早期工业设备对元器件耐用性的严苛要求。

在电气特性方面，2N5416展现出针对高压开关和线性放大应用优化的性能组合。其饱和压降在典型工作条件下（5mA基极电流，50mA集电极电流）最大值为2.5V，这有助于在开关应用中降低导通损耗。器件的直流电流增益（hFE）在50mA集电极电流和10V集射极电压下最小值为30，提供了适中的电流放大能力，便于驱动电路的设计。此外，高达15MHz的过渡频率使其能够处理一定频率范围内的信号，而集电极截止电流最大仅为50A，体现了良好的关断特性，有助于降低系统的静态功耗。

该晶体管的关键参数直接定义了其应用边界。1W的最大功耗限制了其在极高功率场景下的使用，但结合TO-39封装的散热能力，足以满足许多中低功率电路的需求。其通孔安装方式符合传统PCB设计规范，便于在现有系统中进行维护或替换。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格在特定领域仍有参考价值，用户可通过ST一级代理或授权分销商查询库存或替代方案信息。

基于其高压、中电流的特性，2N5416 historically适用于需要PNP管作为高压侧开关、线性稳压电源中的调整管、或电子镇流器、CRT显示器偏转电路等场合。在这些应用中，其300V的耐压值提供了充足的设计余量，1A的电流能力足以驱动继电器、小型电机等负载。它也曾是音频功率放大器中互补输出级PNP部分的一个可选器件。在评估使用或替换此类经典器件时，工程师需综合考虑其频率响应、增益及封装形式与现代电路需求的匹配度。

• 型号:2N5416
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-39
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 300V 1A TO-39
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:300 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 50mA，10V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:15MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
• 供应商器件封装:TO-39
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2N5416是ST意法半导体生产的一款高压PNP双极性晶体管。其核心电气规格包括300V的集射极击穿电压和1A的集电极电流，这使其能够胜任中功率级别的高压开关与放大任务。

器件在50mA, 10V条件下的最小直流电流增益为30，饱和压降最大为2.5V，平衡了驱动需求与导通损耗。采用TO-39金属罐封装，确保了良好的热性能和机械可靠性，适用于通孔安装的传统设计。