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2N720A的图片

2N720A

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
原厂封装:封装:TO-18
优势价格,2N720A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N720A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的NPN双极性晶体管,2N720A采用金属TO-18封装,其核心架构基于成熟的平面工艺技术,确保了器件在宽温度范围内的稳定性和可靠性。该晶体管设计用于处理中等功率信号,其集电极-发射极击穿电压高达80V,集电极电流最大可达500mA,使其能够在多种电压环境下提供有效的电流放大与开关控制功能。

在功能特性方面,2N720A展现出良好的直流电流增益,在典型工作点(150mA集电极电流、10V集电极-发射极电压)下,hFE最小值达到40,这为设计提供了足够的增益余量。其饱和压降特性也较为突出,在15mA基极电流和150mA集电极电流条件下,Vce(sat)最大值仅为5V,这有助于降低导通状态下的功耗,提升整体能效。尽管该器件现已停产,但其参数规格在历史及特定存量设计中仍具有参考价值,用户可通过ST芯片代理等渠道获取库存或替代品信息。

从接口与关键参数来看,该器件采用三引脚通孔安装形式,封装为坚固的TO-206AA(TO-18-3金属罐),具有良好的机械强度和散热性能。其最大功耗为500mW,结温最高可承受175°C,这使其能够适应一定程度的恶劣工作环境。集电极截止电流(ICBO)典型值低至10nA,体现了器件在关断状态下具有优异的漏电流控制能力,有助于提升系统的静态功耗性能。

在应用场景上,凭借80V的耐压和500mA的电流处理能力,2N720A历史上常被用于模拟电路的线性放大、中功率开关控制、驱动继电器或小型电机等场合。其稳健的金属封装也使其适用于对可靠性要求较高的工业控制、电源管理辅助电路以及老式通信设备中的信号处理模块。设计人员需注意其频率参数未明确标注,因此在涉及高频应用时应谨慎评估或查阅更详细的历史资料。

  • 型号:2N720A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-18
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):5V @ 15mA,150mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-18
  • 想获取2N720A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N720A是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用TO-18金属罐封装。其核心规格包括80V的集射极击穿电压和500mA的最大集电极电流,适用于中压、中电流的放大与开关电路。

该器件在150mA, 10V条件下提供最小40倍的直流电流增益(hFE),并具有较低的饱和压降(最大5V @ 15mA, 150mA),有助于优化导通损耗。其最高结温为175°C,最大功耗500mW,展现了良好的功率处理能力和工作温度范围,适合通孔安装的工业级应用需求。

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