2SB772

2SB772是ST意法半导体推出的一款中功率PNP型双极性结型晶体管（BJT），采用TO-225AA（TO-126）通孔封装，为需要可靠电流放大与开关控制的模拟电路设计提供了经典解决方案。其核心架构基于成熟的硅平面工艺，内部由发射极、基极和集电极三个区域构成，通过精确的掺杂和结构设计，实现了在较宽工作条件下的稳定电流增益与较低的饱和压降。

该器件集电极-发射极击穿电压（V_CEO）高达30V，最大集电极连续电流（I_C）为3A，使其能够胜任多种电源管理和驱动应用中的电压与电流要求。在150mA基极电流、3A集电极电流的测试条件下，其集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）典型值仅为1.1V，这意味着在深度饱和导通状态下，晶体管自身的功耗较低，有助于提升系统整体效率并减少热管理负担。其直流电流增益（h_FE）在100mA集电极电流、2V集电极-发射极电压时最小值为100，确保了良好的电流放大能力，简化了前级驱动电路的设计。

在接口与参数方面，2SB772的封装形式为标准的TO-126三引脚通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在PCB板上安装并与散热片结合使用。其最大功耗为12.5W，结合高达150°C的结温（T_J）工作能力，赋予了其较强的过载和高温环境适应性。此外，其集电极截止电流（I_CEO）最大值为100A，关断特性良好；跃迁频率（f_T）达到100MHz，能够应对中低频范围内的开关与放大需求，避免在高频应用中因器件响应速度而产生显著的性能衰减。对于需要获取原厂技术支持和正品供应的用户，可以通过授权的ST代理商进行咨询与采购。

基于其参数特性，2SB772非常适合应用于线性稳压电源的调整管、音频功率放大器的输出级、电机驱动电路中的低压侧开关，以及各种继电器、电磁阀或白炽灯的驱动单元。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护、经典电路仿制或对成本及可靠性有特定要求的工业控制项目中，它依然是一个经过市场长期验证的可靠选择，其性能参数为设计者提供了清晰的设计边界和性能预期。

• 型号:2SB772
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.1V @ 150mA，3A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 100mA，2V
• 功率 - 最大值:12.5 W
• 频率 - 跃迁:100MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
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2SB772是ST意法半导体生产的一款PNP型功率双极性晶体管，采用TO-126封装。其核心电气参数包括30V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流能力，能够处理中功率级别的负载。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在3A大电流下饱和压降仅为1.1V，有效降低了导通损耗。同时，其最小直流电流增益（h_FE）达到100，确保了高效的电流驱动与放大能力。12.5W的最大功耗和150°C的最高结温使其具备良好的热可靠性。