2STC4467

2STC4467是ST意法半导体推出的一款高性能NPN功率双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-3P金属封装，具备出色的功率处理能力和可靠性。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的掺杂和结构设计，实现了高击穿电压、大电流承载与良好频率特性的平衡。该器件内部集成了大面积发射极和集电极结构，配合低热阻的封装设计，确保了在高功率耗散下的稳定工作与高效散热。

该晶体管在120V的集射极击穿电压下，能够持续承载高达8A的集电极电流，最大功耗达到80W，展现了其强大的功率开关与放大能力。其饱和压降在3A电流、300mA基极电流条件下典型值仅为1.5V，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统的能效。同时，器件在3A集电极电流、4V集射极电压下的直流电流增益（hFE）最小值为70，提供了良好的电流驱动能力，简化了前级驱动电路的设计。其集电极截止电流（ICBO）被严格控制在10A以内，确保了关断状态下的低泄漏特性。

在接口与参数方面，2STC4467采用通孔安装的TO-3P-3（SC-65-3）封装，这种封装形式机械强度高，与散热片的接触面积大，非常适合需要良好热管理的功率应用。其最高结温（TJ）可达150°C，允许在较为严苛的环境温度下工作。此外，器件的跃迁频率为20MHz，使其不仅适用于中低频的开关和线性调节，也能胜任一定频率范围内的功率放大任务。对于需要获取原厂技术支持与正品保障的客户，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高电压、大电流和坚固的封装特性，该器件广泛应用于工业控制、电源转换和音频放大等领域。典型应用场景包括开关电源中的高压侧开关、电机驱动电路中的功率输出级、线性稳压器的调整管，以及高保真音频功率放大器的输出级。其稳健的设计使其能够应对工业环境中的电应力冲击和热应力挑战，是构建可靠功率电子系统的关键元件之一。

• 型号:2STC4467
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 120V 8A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:120 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 300mA，3A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:70 @ 3A，4V
• 功率 - 最大值:80 W
• 频率 - 跃迁:20MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• 想获取2STC4467的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STC4467是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用TO-3P封装。其核心特性在于高达120V的集射极击穿电压和8A的连续集电极电流处理能力，最大功耗为80W，适用于高功率应用场景。

该器件在导通状态下表现出色，饱和压降低至1.5V（@3A, 300mA），有助于减少开关损耗。其直流电流增益（hFE）最小值为70（@3A, 4V），确保了有效的电流放大与控制。器件工作结温最高可达150°C，并具备20MHz的跃迁频率，兼顾了功率处理与一定的频率响应能力。