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2STF2280

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 80V 2A SOT-89
原厂封装:封装:SOT-89
优势价格,2STF2280的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2STF2280的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2STF2280是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能PNP双极性结型晶体管(BJT),采用表面贴装型SOT-89(TO-243AA)封装。该器件设计用于处理中等功率开关与线性放大应用,其核心架构基于成熟的硅基工艺,提供了优异的电气特性与热稳定性平衡。PNP极性使其在需要负电源轨或互补对称设计的电路中扮演关键角色,例如与NPN晶体管配对使用,构成推挽输出级或电平转换电路。

该晶体管具备80V的集电极-发射极击穿电压2A的连续集电极电流能力,使其能够耐受较高的电压应力并驱动一定的负载。其饱和压降在典型工作条件下(100mA基极电流,1A集电极电流)仅为250mV,这意味着在导通状态下具有较低的功耗,有助于提升系统整体效率。同时,直流电流增益(hFE)最小值达到140(测试条件:100mA Ic,2V Vce),表明其具备良好的电流放大能力,适用于需要一定信号增益的模拟电路。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过授权的ST芯片代理进行采购咨询与库存查询。

在接口与参数方面,器件支持高达50MHz的跃迁频率,使其能够应对中频范围内的开关与放大需求。最大功耗为1.4W,结合SOT-89封装良好的热性能,为紧凑型设计提供了可靠的功率处理方案。其工作结温范围覆盖-65°C至150°C,确保了在严苛工业环境或宽温应用中的稳定运行。集电极截止电流最大值为1mA,这一参数对于关断状态下的功耗控制至关重要。

基于其电压、电流及频率特性,2STF2280非常适合应用于电源管理模块中的线性稳压器、电子开关、电机驱动辅助电路、音频放大器的输出级以及各类工业控制板卡中的接口驱动与保护电路。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定长期供货协议项目中,它仍然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:2STF2280
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-89
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 80V 2A SOT-89
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值:1.4 W
  • 频率 - 跃迁:50MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89
  • 想获取2STF2280的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STF2280是ST意法半导体生产的一款PNP双极性晶体管,采用SOT-89表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的集电极-发射极击穿电压和2A的最大集电极电流,能够满足中等功率开关与放大应用的需求。

该器件在提供高耐压与电流能力的同时,保持了良好的导通特性,其Vce饱和压降典型值仅为250mV(@100mA Ib, 1A Ic),有助于降低导通损耗。直流电流增益(hFE)最小值达140,确保了有效的电流放大性能。50MHz的跃迁频率使其适用于中频信号处理。

凭借1.4W的最大功耗和-65°C至150°C的宽工作结温范围,2STF2280适用于对可靠性和环境适应性有要求的工业控制、电源管理及驱动电路等场景。

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