2STL2580

2STL2580是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-92MOD（TO-226-3）长体通孔封装。该器件设计用于在高达400V的集电极-发射极电压下可靠工作，其核心架构基于成熟的平面工艺，确保了在高压开关和线性放大应用中的稳定性和耐用性。其结构优化了载流子传输路径，旨在实现较低的饱和压降和良好的电流处理能力。

该晶体管的关键特性在于其高压与电流的平衡设计。集电极-发射极击穿电压高达400V，使其能够从容应对工业控制、离线式电源等场合中常见的电压应力。同时，最大集电极电流为1A，配合典型条件下仅1V的Vce饱和压降（测试条件：Ic=1A， Ib=200mA），意味着在导通状态下能够有效降低功耗，提升整体能效。其直流电流增益（hFE）在Ic=250mA、Vce=5V时最小值为60，提供了足够的电流驱动能力，简化了前级驱动电路的设计。对于需要可靠元器件供应的设计方，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

在电气参数方面，2STL2580表现出色。其集电极截止电流（ICBO）最大仅为10A，显示了良好的关断特性，有助于降低待机功耗。器件的最大功耗为1.5W，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其较强的热稳定性和环境适应性。标准的TO-92封装使其兼容广泛的原型设计板和现有PCB布局，便于工程师进行电路调试和产品集成。

基于其高压、中电流和良好的开关特性，2STL2580非常适用于一系列要求严苛的应用场景。它常被用作开关电源中的高压侧开关管、电子镇流器中的驱动晶体管，以及电机控制、CRT显示器偏转电路中的线性放大或开关元件。其稳健的设计使其成为对成本敏感且需要高压处理能力的工业与消费电子应用的经典选择之一。

• 型号:2STL2580
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92MOD
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92MOD
• 系列:-
• 包装:袋
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 250mA，5V
• 功率 - 最大值:1.5 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体
• 供应商器件封装:TO-92MOD
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2STL2580是STMicroelectronics生产的一款高压NPN双极性晶体管。该器件核心卖点在于其400V的高集射极击穿电压与1A的集电极电流能力，能够在高压环境下处理可观的功率。

其电气特性经过优化，在1A电流下的饱和压降典型值仅为1V，有助于减少导通损耗。同时，最小60的直流电流增益确保了有效的电流放大，而10A的低截止电流则提升了关断状态的效率。该晶体管采用通孔TO-92MOD封装，最大功耗1.5W，结温最高可至150°C，适用于要求高耐压和可靠性的开关及放大电路。