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3STL2540

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT
原厂封装:封装:PowerFlat(2x2)
优势价格,3STL2540的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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3STL2540的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

3STL2540是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用先进表面贴装封装的高性能PNP双极性功率晶体管。该器件采用紧凑的3-PowerUDFN(PowerFLAT3)封装,专为高密度PCB设计优化,在提供强大电流处理能力的同时,最大限度地节省了宝贵的电路板空间。其核心架构基于成熟的硅基工艺,实现了功率密度与开关速度的出色平衡,适用于需要高效率开关和线性放大的各类电源管理与电机驱动电路。

该晶体管的关键电气特性使其在同类产品中表现突出。其集电极-发射极击穿电压高达40V,最大连续集电极电流为5A,能够应对中等功率应用中的电压和电流应力。更值得关注的是其优异的饱和特性,在1A集电极电流和10mA基极电流条件下,集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值仅为200mV,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时,器件在2A电流和2V电压下的直流电流增益(hFE)最小值为210,确保了良好的驱动效率,有助于简化前级驱动电路的设计。

在动态性能方面,高达130MHz的过渡频率使其能够胜任中高频开关应用,有效降低开关过程中的损耗。其工作结温高达150°C,提供了宽裕的热设计余量,增强了系统在高温环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态,但通过正规的ST代理商渠道,工程师仍可获得可靠的技术支持和库存信息,以评估其在现有设计或特定项目中的适用性。其低至100nA的集电极截止电流(ICBO)也体现了其在关断状态下的优异隔离性能。

综合其参数,3STL2540非常适合应用于DC-DC转换器中的开关元件、线性稳压器的调整管、H桥电机驱动电路中的下桥臂,以及各类需要PNP晶体管进行电流倒相或负载开关的场合。其表面贴装形式和1.2W的最大功耗能力,使其成为空间受限的消费电子、工业控制模块和汽车辅助系统中功率控制部分的理想选择之一。

  • 型号:3STL2540
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(2x2)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 10mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):210 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:1.2 W
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:3-PowerUDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(2x2)
  • 想获取3STL2540的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

3STL2540是ST意法半导体生产的一款表面贴装型PNP功率双极性晶体管(BJT),采用紧凑的3-PowerUDFN(PowerFLAT3)封装。其核心优势在于高达5A的集电极电流处理能力和40V的集射极击穿电压,同时具备极低的VCE(sat)饱和压降(200mV @ 1A),这显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了能效。

该器件在2A电流下提供最小210的直流电流增益,确保了高效的电流驱动能力。其130MHz的过渡频率支持中速开关应用,而150°C的最高工作结温则提供了可靠的热性能。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和线性放大电路中需要高效、紧凑型PNP晶体管的优选解决方案。

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