A1C15S12M3-F

A1C15S12M3-F是ST意法半导体推出的一款紧凑型ACEPACK 1封装IGBT模块，集成了三相逆变器和制动单元，专为高功率密度和可靠性的电机驱动应用而设计。该模块采用先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT技术，在1200V的额定电压下实现了优异的开关性能和导通损耗平衡。其内部集成了六个IGBT和六个续流二极管，构成完整的三相全桥拓扑，并额外集成了一个制动IGBT，用于在电机快速减速或制动时消耗再生能量，保护直流母线电容。这种高度集成的设计显著减少了外部元件数量，简化了PCB布局和系统组装。

得益于其沟槽栅极和场截止层结构，模块在15A额定集电极电流下，饱和压降（Vce(on)）典型值较低，在15V栅极驱动电压下仅为2.45V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的内部布局和低寄生电感设计确保了开关过程平稳，有效抑制了电压过冲和电磁干扰（EMI）。模块内部集成了负温度系数（NTC）热敏电阻，为系统提供了直接、可靠的温度监测点，便于实现过温保护和基于温度的风扇控制等高级功能，增强了系统运行的鲁棒性和安全性。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与电气参数方面，该模块采用易于焊接的底座安装方式，便于散热器安装以实现高效的热管理。其集电极-发射极击穿电压高达1200V，适用于380V至480V三相交流电网的工业应用。极低的集电极截止电流（最大100A）保证了在关断状态下的低功耗。输入电容（Cies）特性经过优化，有助于简化栅极驱动电路的设计，降低对驱动电流的要求。模块的结温（TJ）工作范围宽广，从-40°C到150°C，确保了其在严苛工业环境下的稳定运行，最大功耗为142.8W。

这款模块的核心应用场景聚焦于中小功率的工业变频器和伺服驱动器，例如风机、水泵、压缩机、传送带以及各类自动化设备中的电机控制。其紧凑的ACEPACK 1封装和集成化设计，使其也非常适合对空间有严格要求的应用，如紧凑型变频器、电梯控制柜和新能源领域的光伏逆变器辅助电源等。通过提供高集成度、高可靠性和易于使用的解决方案，A1C15S12M3-F有效帮助工程师缩短开发周期，提升最终产品的功率密度和市场竞争力。

• 型号:A1C15S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
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A1C15S12M3-F是ST意法半导体基于ACEPACK 1封装的三相IGBT逆变器模块，集成了制动单元和NTC热敏电阻。该模块采用1200V/15A的沟槽型场截止IGBT技术，在15V栅极驱动下饱和压降仅为2.45V，实现了低导通损耗与高效率的平衡。

其高度集成的三相全桥加制动斩波器配置，简化了外围电路设计，特别适用于紧凑型电机驱动系统。宽广的-40°C至150°C结温工作范围与内置温度监测功能，共同保障了其在工业变频、伺服驱动等应用中的高可靠性与稳定性。