A1C15S12M3

A1C15S12M3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款紧凑型ACEPACK 1封装IGBT模块。该模块集成了先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT技术与快速恢复二极管，构成了一个完整的三相反相器桥臂，并集成了制动斩波器功能。其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的开关性能平衡，通过优化的内部布局和低电感设计，有效减少了开关过程中的电压过冲和电磁干扰，为电机驱动等应用提供了稳定可靠的核心功率转换单元。

该模块具备多项突出特性。其额定电压高达1200V，最大集电极电流为15A，能够从容应对工业三相380V交流电网的应用环境。在导通特性方面，其在15V栅极驱动电压、15A集电极电流条件下的典型饱和压降（Vce(on)）仅为2.45V，这一低导通损耗特性直接提升了系统的整体能效。模块内部集成了负温度系数（NTC）热敏电阻，为系统实时监测模块基板温度、实现精准的热管理和过温保护提供了便利。其工作结温范围宽广，从-40°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术支持。

在电气接口与参数层面，A1C15S12M3采用了易于焊接和散热的底座安装形式。其输入电容（Cies）在25V Vce条件下典型值为985pF，较低的栅极电荷需求有助于简化栅极驱动电路设计并降低驱动损耗。集电极截止电流最大值被控制在100A的极低水平，体现了出色的关断特性。模块集成的三相整流桥输入和制动IGBT，使得外围电路得以简化，节省了PCB空间和系统BOM成本。

凭借其高集成度、高可靠性和优良的电气性能，A1C15S12M3非常适用于中小功率的变频驱动领域。典型应用包括工业风扇与泵类驱动器、通用变频器（VFD）、伺服驱动系统以及轻型电动交通辅助设备等。其紧凑的ACEPACK 1封装特别适合对体积和功率密度有较高要求的场合，为工程师设计高效、紧凑的功率变换解决方案提供了理想的选择。

• 型号:A1C15S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
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A1C15S12M3是ST意法半导体生产的一款采用ACEPACK 1封装的IGBT模块。该模块集成了一个完整的三相反相器桥臂与制动斩波器，基于1200V耐压、15A电流的沟槽型场截止IGBT技术构建，最大功耗为142.8W。其核心优势在于高集成度与低损耗，饱和压降典型值仅为2.45V @ 15V, 15A，有助于提升系统整体效率。

模块内部集成了NTC热敏电阻，便于实现精确的温度监控与保护。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。这款模块将功率半导体、驱动兼容接口及热管理功能整合于一体，为设计紧凑、高效的中小功率电机驱动和变频应用提供了优化的解决方案。