A1P35S12M3-F

作为一款面向中功率工业驱动与新能源应用的高性能功率模块，A1P35S12M3-F集成了先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT技术与优化的封装设计。该模块采用紧凑的ACEPACK1封装，内部集成了一个完整的三相反相器桥臂，将六个IGBT与对应的续流二极管整合于一体，显著简化了系统主电路布局，提升了功率密度与可靠性。其核心的场截止结构在保证高阻断电压的同时，有效降低了饱和压降与开关损耗，为实现高效率的能量转换奠定了物理基础。

在电气性能方面，该模块展现出卓越的平衡性。其集射极击穿电压高达1200V，最大集电极电流为35A，最大功耗为250W，能够从容应对工业380V/400V三相交流母线电压应用下的电压应力与电流需求。在典型工作条件下（Vge=15V，Ic=35A），其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为2.45V，这一低导通损耗特性直接贡献于系统整体效率的提升。同时，模块集成了标准电平的驱动输入接口，兼容主流驱动IC，并内置了负温度系数（NTC）热敏电阻，为系统实现精确的温度监控与过热保护提供了便利。其极低的集电极截止电流（最大值100A）也确保了在关断状态下的低静态功耗。

模块的接口与热管理设计充分考虑了工程应用的便捷性。所有功率端子与信号端子均采用易于连接的插拔或螺丝固定方式。其底座安装形式与优化的封装热阻，便于与散热器紧密贴合，确保热量能够高效导出，支持-40°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，适应严苛的工业环境。对于需要稳定、可靠货源与技术支持的用户，通过正规的ST授权代理渠道进行采购是保障产品品质与供应链安全的关键。

基于其稳健的电气参数与集成化设计，A1P35S12M3-F非常适用于对体积、效率与可靠性有较高要求的场合。典型应用包括中小功率的变频器、伺服驱动器、UPS（不间断电源）以及光伏逆变器和储能系统的功率转换单元。其三合一的反相器配置使其成为构建紧凑型电机驱动与三相逆变电源的理想核心功率部件，助力工程师开发出更具市场竞争力的下一代电力电子设备。

• 型号:A1P35S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 功率 - 最大值:250 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
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A1P35S12M3-F是ST意法半导体推出的一款采用ACEPACK1封装的三相IGBT功率模块。该模块集成了六个采用先进沟槽型场截止技术的IGBT及续流二极管，构成一个完整的1200V/35A三相反相器桥臂，最大功耗为250W。

其核心优势在于优异的电气性能与高集成度。在35A额定电流下，饱和压降Vce(on)最大值仅为2.45V，有效降低了导通损耗。模块内置NTC热敏电阻，支持-40°C至150°C的宽结温工作范围，并采用底座安装方式，便于散热管理。这些特性使其成为中小功率工业变频、伺服驱动及新能源发电系统中实现高效、紧凑功率转换的理想解决方案。