A2C25S12M3-F

作为ST意法半导体旗下ACEPACK2系列功率模块的代表性产品，A2C25S12M3-F是一款集成了先进沟槽型场截止（Trench Field Stop）技术的IGBT模块。该架构通过优化载流子分布，显著降低了饱和压降（Vce(sat)）和开关损耗，从而在1200V的电压等级下实现了高效率与高功率密度的平衡。其内部采用三相全桥逆变器配置，并集成了制动单元，为电机驱动等应用提供了完整的功率转换解决方案，模块化封装设计也极大简化了系统布局与热管理。

该模块的核心电气性能突出，在15V栅极驱动电压、25A集电极电流的典型工作条件下，其最大饱和压降仅为2.45V，这意味着在导通状态下的功耗极低。同时，集电极截止电流被严格控制在100A以下，确保了关断状态下的高可靠性。模块内部集成了NTC热敏电阻，为系统提供了实时的温度监控能力，结合其-40°C至150°C（结温）的宽工作温度范围，使其能够适应苛刻的工业环境。对于寻求稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购。

在接口与参数方面，该模块额定集电极电流为25A，最大功耗为197W，采用底座安装方式，便于与散热器紧密耦合。其输入电容（Cies）在25V测试条件下为1550pF，这一参数对于栅极驱动电路的设计具有重要参考价值，有助于优化开关速度并抑制电磁干扰。模块集成的三相整流桥输入进一步提升了集成度，减少了外部元件数量。

基于其高电压、中等电流、高集成度及内置保护功能的特点，A2C25S12M3-F非常适用于对空间和效率有较高要求的变频驱动领域。典型应用包括工业交流电机驱动器、变频器、伺服驱动系统以及不间断电源（UPS）的功率转换部分。其稳健的设计使其成为构建紧凑、高效且可靠的功率电子系统的理想选择。

• 型号:A2C25S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 功率 - 最大值:197 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• 想获取A2C25S12M3-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

A2C25S12M3-F是ST意法半导体推出的一款紧凑型IGBT功率模块，采用先进的沟槽型场截止技术，在1200V击穿电压和25A额定电流下，实现了低至2.45V的导通压降与197W的最大功耗，有效提升了能效与功率密度。

该模块高度集成，内部配置为完整的三相反相器桥路并包含制动单元，同时集成了用于温度监控的NTC热敏电阻。其宽结温工作范围（-40°C至150°C）与模块化封装，使其成为工业电机驱动、变频器及伺服系统等应用中追求高可靠性、高集成度解决方案的理想功率开关器件。