A2P75S12M3

A2P75S12M3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用ACEPACK2封装的三相IGBT功率模块。该模块内部集成了三个采用沟槽型场截止（Trench Field Stop）技术的IGBT及其对应的续流二极管，构成了一个完整的三相反相器桥臂。这种先进的沟槽栅和场截止层设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著优化了载流子分布，从而实现了更低的导通压降和开关损耗，提升了整体能效与功率密度。

在功能特性上，该模块展现了出色的电气性能。其集电极-发射极击穿电压高达1200V，最大集电极电流为75A，最大功耗为454.5W，能够应对严苛的工业电压环境。其导通压降（Vce(on)）在15V门极驱动电压和75A工作电流下典型值仅为2.3V，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在较低水平。模块集成了负温度系数（NTC）热敏电阻，为系统提供了直接、可靠的温度监测点，便于实现过温保护和智能热管理。其标准电平输入接口兼容常见的驱动电路，简化了系统设计。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面，模块设计注重实用性与可靠性。其集电极截止电流极低，典型值仅为100A，确保了关断状态下的高阻特性。输入电容（Cies）在25V Vce条件下为4700pF，这一参数对于驱动电路的设计和开关速度的优化具有重要参考价值。模块采用底座安装方式，优异的封装工艺确保了良好的机械强度和散热性能。其结温（TJ）工作范围宽广，从-40°C到150°C，使其能够适应从寒冷到酷热的多样化工业环境，保证了长期运行的稳定性。

基于其1200V/75A的功率等级和高度集成的三相反相器配置，A2P75S12M3非常适用于中小功率的电机驱动与变频应用。典型场景包括工业变频器、伺服驱动器、通用逆变器以及不间断电源（UPS）系统。其紧凑的ACEPACK2封装和内置的温度传感功能，尤其适合对空间布局、系统效率和可靠性有较高要求的自动化设备、新能源发电并网装置以及商用空调压缩机驱动等领域。

• 型号:A2P75S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
• 功率 - 最大值:454.5 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，75A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
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A2P75S12M3是ST意法半导体生产的一款采用ACEPACK2封装的三相IGBT功率模块。该模块集成了三个采用先进沟槽型场截止技术的1200V/75A IGBT单元，构成一个完整的三相反相器桥臂，最大功耗为454.5W。其核心优势在于较低的导通压降（2.3V @15V, 75A）和优化的开关特性，有助于提升系统能效。

模块集成了用于温度监控的NTC热敏电阻，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，增强了系统在恶劣环境下的可靠性。其标准输入电平和底座安装方式，简化了驱动电路与散热设计，使其成为工业变频、伺服驱动、UPS等中小功率变频应用的高效、紧凑解决方案。