A6387DTR

A6387DTR是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能MOSFET全桥驱动器，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件专为高效、可靠地驱动构成H桥或三相桥拓扑的N沟道功率MOSFET而设计，其内部集成了电平转换、自举二极管以及完善的保护电路，极大简化了高压侧驱动的设计复杂性，提升了系统集成度与可靠性。

该驱动器的核心在于其双通道非对称驱动架构，能够独立控制高端和低端MOSFET。其高达100V的绝对最大电压额定值使其能够适应宽范围的应用电压。内置的自举电路设计免除了为高端驱动提供独立隔离电源的需要，同时集成的欠压锁定（UVLO）功能确保了在电源电压不足时MOSFET处于安全的关断状态，防止功率管工作在线性区而损坏。此外，其逻辑输入兼容TTL/CMOS电平，可直接与微控制器或DSP等数字信号源接口，提供了灵活的控制方式。

在电气参数方面，A6387DTR表现出色。其输出源电流和灌电流能力强劲，能够实现MOSFET的快速开启与关断，从而有效降低开关损耗。传播延迟时间匹配良好，有助于最小化死区时间并提高逆变效率。其工作温度范围宽泛，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

基于其稳健的性能，A6387DTR非常适合应用于需要精密电机控制的领域，例如无刷直流（BLDC）电机驱动器、步进电机驱动、工业自动化中的伺服驱动等。同时，它也常被用于构建高效的DC-AC逆变器、开关电源的同步整流驱动电路，以及任何需要高效、紧凑型半桥或全桥驱动的功率转换场景，是工程师实现高功率密度和高效能系统设计的优选器件。

• 型号:A6387DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:-
• 驱动配置:高压侧，低压侧
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:6.3V ~ 17V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.4V，1.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:550 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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A6387DTR是ST意法半导体生产的一款集成化MOSFET全桥驱动器，采用8引脚SOIC封装。该器件核心功能是高效驱动H桥或三相逆变拓扑中的N沟道功率MOSFET，其关键卖点在于内部集成了自举二极管和电平移位电路，简化了高压侧栅极驱动设计。

该驱动器支持宽电压工作范围，具备强劲的驱动电流以快速切换MOSFET，从而优化开关性能、降低损耗。其内置的欠压锁定（UVLO）等保护功能增强了系统的鲁棒性。逻辑输入兼容性强，可直接连接微处理器，使其成为无刷直流电机控制、电源转换和工业驱动等应用中实现紧凑、高效功率级设计的理想解决方案。