AS11P2TLRQ

ST意法半导体推出的AS11P2TLRQ是一款采用先进CMOS工艺制造的单刀双掷（SPDT）模拟开关芯片。该器件集成了高性能的开关矩阵与控制逻辑，其核心架构旨在实现信号路径的极低损耗与高保真度传输。内部集成的电平转换电路使其能够在宽泛的单电源电压（1.65V至4.5V）下稳定工作，兼容多种逻辑电平，为系统设计提供了高度的灵活性。

该芯片在电气性能上表现出色，其导通电阻典型值极低，最大值仅为1.2欧姆，并且通道间的导通电阻匹配度（ΔRon）控制在50毫欧以内，这确保了多路信号切换时具有优异的一致性和极低的信号失真。快速的开关特性是其另一大亮点，开启与关闭时间（Ton/Toff）最大值分别仅为28ns和21ns，结合高达150MHz的-3dB带宽，使其能够胜任高速模拟或数字信号的切换与路由任务。此外，其关断漏电流低至20nA，静态功耗极低，非常适合电池供电的便携式设备。

在接口与封装方面，AS11P2TLRQ采用紧凑的6引脚UFDFN封装，符合表面贴装（SMT）工艺要求，有利于节省PCB空间。其优异的动态性能参数，如低至33pC的电荷注入和-80dB @ 100kHz的串扰抑制能力，有效降低了开关动作对敏感信号路径的干扰，保证了信号完整性。工程师在选型时，可通过正规的ST代理商获取完整的技术资料与样品支持。该器件的工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，具备良好的环境适应性。

凭借其高性能与高集成度，AS11P2TLRQ广泛应用于需要高质量信号切换的领域。典型应用场景包括便携式医疗设备（如手持监护仪）中的传感器信号选通、测试与测量设备中的多路信号切换矩阵、音频设备中的输入/输出路径选择，以及通信系统中低频射频信号的路径管理。它为设计工程师提供了一种可靠、高效的模拟信号开关解决方案。

• 型号:AS11P2TLRQ
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:6-DFN（1.2x1.0）
• 类目:集成电路（IC） > 接口 > 模拟开关，多路复用器，解复用器
• 描述:IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关电路:SPDT
• 多路复用器/解复用器电路:2：1
• 电路数:1
• 导通电阻（最大值）:1.2 欧姆
• 通道至通道匹配 (ΔRon):50 毫欧
• 电压 -电源，单 (V+):1.65V ~ 4.5V
• 电压 - 供电，双(V±):-
• 开关时间(Ton, Toff)（最大值）:28ns，21ns
• -3db 带宽:150MHz
• 电荷注入:33pC
• 沟道电容 (CS(off)，CD(off)):25pF
• 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）:20nA
• 串扰:-80dB @ 100kHz
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN
• 供应商器件封装:6-DFN（1.2x1.0）
• 想获取AS11P2TLRQ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AS11P2TLRQ是ST意法半导体推出的一款高性能单刀双掷（SPDT）模拟开关集成电路，采用6引脚UFDFN封装。该器件设计用于在1.65V至4.5V的单电源电压下工作，提供极低的导通电阻（最大1.2Ω）和出色的通道匹配性（ΔRon 50mΩ），确保信号传输路径的损耗与失真最小化。

其核心优势在于高速与高带宽特性，开关时间最快仅21ns/28ns，-3dB带宽高达150MHz，能够无缝处理高速模拟与数字信号。同时，低电荷注入（33pC）与高串扰抑制（-80dB @ 100kHz）有效保障了信号切换时的纯净度与完整性。这些特性使其成为便携式设备、测试仪器及音频/通信系统中精密信号路由与管理的理想选择。