BAT30F3

BAT30F3是ST意法半导体推出的一款采用先进微型封装技术的肖特基势垒二极管。该器件基于肖特基结原理构建，利用金属与半导体接触形成的势垒来实现单向导电，其核心优势在于极低的正向导通压降和极快的开关速度。该芯片采用倒装芯片（Flip-Chip）技术直接集成于2-XFBGA/FCBGA封装内，这种架构消除了传统引线键合带来的寄生电感，显著提升了高频性能与散热效率，同时实现了超紧凑的占板面积，是空间受限应用的理想选择。

在电气特性方面，该二极管表现出卓越的性能。其最大反向工作电压为20V，能够满足多数低电压电路的保护与整流需求。在300mA正向电流下，其典型正向压降仅为560mV，这一数值远低于普通PN结二极管，能有效降低导通损耗，提升系统能效。其开关特性属于快速恢复类型，恢复时间短于500纳秒，确保了在高频开关电路（如DC-DC转换器）中能够快速完成状态切换，减少开关损耗并抑制电压尖峰。此外，在20V反向电压下，其反向漏电流典型值仅为6A，展现了出色的反向阻断能力，有助于降低待机功耗。

该器件设计为表面贴装型，采用2引脚覆晶（Flip-Chip）封装，完全符合无铅且符合RoHS标准的ECOPACK产品系列要求，体现了环保设计理念。其微小的封装尺寸对PCB布局和回流焊工艺提出了相应要求，建议通过专业的ST代理获取详细的应用笔记与技术支持。尽管其零件状态已标注为停产，但在存量设计或特定备件供应中，它依然是高效、紧凑型电源管理方案的关键组成部分。

基于其低Vf、快速开关和小尺寸的特性，BAT30F3非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的领域。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的高频DC-DC降压转换器，用于续流或输出整流；在射频模块中，可用于信号检波与钳位保护；此外，也常见于各类需要高效整流和低功耗待机的嵌入式系统电源电路之中。

• 型号:BAT30F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:2-覆晶
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 2FLIPCHIP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:20 V
• 电流 - 平均整流 (Io):-
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 300 mA
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6 A @ 20 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:2-XFBGA，FCBGA
• 供应商器件封装:2-覆晶
• 工作温度 - 结:-30°C ~ 85°C
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BAT30F3是ST意法半导体生产的一款微型表面贴装肖特基二极管，隶属于ECOPACK环保系列。其核心价值在于将低功耗与高频率性能集成于超小尺寸之内。

该器件提供20V的最大反向电压，并在300mA电流下实现仅560mV的低正向压降，能显著降低导通损耗。其快速恢复特性（<500ns）使其能够胜任高频开关场景，同时，20V下的低至6A的反向漏电流有助于提升系统整体能效。其采用的2引脚覆晶（Flip-Chip）封装，为空间极度受限的现代电子设计提供了高效的整流与保护解决方案。