BAT41

BAT41是ST意法半导体推出的一款采用DO-35轴向封装的小信号肖特基势垒二极管。该器件基于金属-半导体结的肖特基势垒原理构建，其核心在于利用金属与半导体接触形成的势垒来实现单向导电特性，与传统的PN结二极管相比，肖特基结构的主要优势在于其多子导电机制，这从根本上决定了其优异的开关性能。

该二极管在正向导通时表现出极低的压降，典型值在1mA电流下仅为450mV，这有助于在低电压电路中减少功率损耗并提升效率。其反向耐压高达100V，同时维持了极低的反向漏电流，在50V反向电压下典型值仅为100nA，确保了在关断状态下良好的隔离特性。得益于肖特基结构无少数载流子存储效应，BAT41本质上具有极快的开关速度，适用于高频信号处理，其小信号处理能力最高可达200mA。此外，在1V偏压和1MHz测试频率下，其结电容典型值低至2pF，这一特性对于高频应用中的信号完整性至关重要，能有效减少由寄生电容引起的信号失真和延迟。

在电气接口与参数方面，BAT41定义了清晰的性能边界。其平均整流电流为100mA DC，适用于中小功率场景。标准的DO-35玻璃封装提供了可靠的机械保护和电气绝缘，通孔安装方式便于在实验板或PCB上进行手工焊接与测试，具有良好的工程适用性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保元器件的来源可靠性与质量一致性。

这款二极管典型的应用场景涵盖需要高效率和高速度的领域。它常被用于高频电路的信号检波与混频、低压差电源中的极性保护与续流、以及ADC输入钳位等精密模拟电路中。其快速开关和低电容特性也使其成为射频信号路径中开关和调制电路的理想选择。在便携式设备和电池供电系统中，其低正向压降有助于延长设备的续航时间。

• 型号:BAT41
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 100MA DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):100mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
• 想获取BAT41的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BAT41是ST意法半导体生产的一款100V、100mA的肖特基势垒二极管，采用标准的DO-35轴向封装。该器件的核心优势在于其肖特基结构带来的优异性能组合。

其技术参数突出表现为极低的正向压降（450mV @ 1mA）与极快的开关特性，专为高频小信号处理而优化。同时，它具备高达100V的反向击穿电压和低至2pF的结电容，确保了在关断状态下良好的隔离性与高频下的信号保真度。这些特性使其成为高效率、快速开关应用的理想选择。