BAT46

作为一款经典的肖特基势垒二极管，BAT46采用了成熟的金属-半导体结技术架构。其核心在于利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒来实现单向导电性，这种结构从根本上决定了其低正向压降和快速开关的特性。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管在正向导通时，多数载流子（电子）是主要的导电机制，因此没有少数载流子的存储效应，这为其在高速开关应用中的优异表现奠定了物理基础。

该器件最突出的功能特性体现在其卓越的效率与速度上。在10mA的测试电流下，其正向压降（Vf）典型值仅为450mV，显著低于同级别硅PN结二极管，这意味着在低压电路中能有效降低导通损耗，提升整体能效。同时，得益于肖特基结构，它本质上具备极快的开关速度，适用于处理高频小信号。其反向恢复时间（trr）可以忽略不计，使其在需要快速切换的电路中，如高频检波、信号钳位或采样保持电路中，能够避免因电荷存储导致的延迟和信号失真。

在电气参数与物理接口方面，BAT46提供了稳健的性能平衡。它能够承受高达100V的最大直流反向电压（Vr），并在75V反向电压下，反向漏电流（Ir）典型值控制在5A的极低水平，确保了良好的关断特性。其结电容（Cj）在0V偏压和1MHz测试频率下仅为10pF，这一低电容值进一步保障了其在高频应用中的信号完整性。器件采用经典的DO-35轴向玻璃封装，这是一种通孔安装（THT）封装，具有优异的可靠性和易于手工焊接或自动插装的特点，广泛的ST代理商均可提供该标准封装产品。

基于上述技术特点，BAT46非常适合一系列对效率和速度有要求的应用场景。它常被用作高频电路中的小信号检波二极管或混频器，在通信设备中提取调制信号。在电源相关电路中，可作为低压差（<1A）开关电源或DC-DC转换器的续流二极管，其低Vf有助于提高转换效率。此外，它还广泛应用于高速逻辑电路的钳位保护、射频识别（RFID）标签的整流环节，以及仪器仪表中需要快速响应的信号采样与保持电路，是工程师在设计高效、紧凑型电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:BAT46
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 150MA DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):150mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 75 V
• 不同Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
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BAT46是ST意法半导体推出的一款100V、150mA的肖特基势垒二极管，采用DO-35轴向封装。该器件专为要求高效率与快速开关的应用而设计，其核心优势在于极低的正向压降（典型值450mV @ 10mA）和本质上快速的反向恢复特性，能显著降低导通损耗并提升高频电路性能。

在电气特性上，它在75V反向电压下的漏电流仅为5A，并具备低至10pF的结电容，确保了良好的关断隔离度和高频信号完整性。这些参数使其成为高频检波、小功率DC-DC转换续流、高速钳位及信号采样等应用的理想解决方案。