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BCY59IX

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18
原厂封装:封装:TO-18
优势价格,BCY59IX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BCY59IX的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BCY59IX 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款NPN型双极性结型晶体管(BJT),采用经典的TO-18金属罐封装。该器件基于成熟的硅平面工艺制造,内部结构由一个掺杂浓度较高的发射区、一个较薄的基区和一个面积较大的集电区构成,这种设计旨在实现电流放大功能,并通过金属封装确保了良好的机械强度和散热性能。其核心工作原理是利用基极电流的微小变化来控制集电极电流的大幅度变化,是模拟电路与开关电路中的基础放大与驱动元件。

该晶体管具备多项关键电气特性,使其在特定应用中表现出色。其集电极-发射极击穿电压高达45V,提供了较高的电压工作余量,增强了电路在瞬态电压下的可靠性。集电极最大连续电流为200mA,结合高达200MHz的过渡频率,使其不仅适用于中低频的放大和线性调节,也能胜任一定频率范围内的信号切换与处理。其直流电流增益(hFE)在典型工作点(2mA, 5V)下最小值为180,这意味着它具有较高的电流放大能力,能够用较小的基极驱动电流控制较大的负载电流,有效简化前级驱动电路的设计。此外,在2.5mA基极电流、100mA集电极电流条件下的饱和压降最大仅为700mV,较低的饱和压降意味着在开关应用作为导通状态时,其自身的功率损耗较小,有助于提升整体能效。集电极截止电流低至10nA级别,则体现了其良好的关断特性。

在接口与参数方面,BCY59IX 采用通孔安装的TO-18(TO-206AA)三引脚封装,引脚排列为标准配置,便于在实验板或PCB上进行焊接和替换。其最大功耗为390mW,结合金属封装本身的热传导优势,需在设计时注意散热以确保结温不超过175°C的最高工作结温。虽然该产品目前已处于停产状态,但其稳定的性能和广泛的认知度使其在库存器件应用、旧设备维护或对成本不敏感的原型设计中仍有其价值。对于需要持续供应的新设计项目,建议联系ST芯片代理咨询功能兼容的替代型号或库存情况。

基于其电压、电流和频率特性,BCY59IX 的传统应用场景涵盖多个领域。在音频设备中,它可用于前置放大器、小功率音频输出级的电压放大或驱动。在各类电子控制板中,它常作为中小功率继电器、指示灯或小型电机的驱动开关。此外,在稳压电源的调整环节、振荡器电路以及高频信号的中继放大电路中,也能见到其身影。它代表了经典分立半导体解决方案的可靠性,尤其适合对增益一致性、温度稳定性有要求,且工作环境并非极端严苛的工业与消费类电子产品。

  • 型号:BCY59IX
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-18
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):45 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值:390 mW
  • 频率 - 跃迁:200MHz
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-18
  • 想获取BCY59IX的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BCY59IX 是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用TO-18金属罐封装。该器件核心参数针对通用放大与开关应用进行了优化,其集电极-发射极击穿电压为45V,最大集电极电流为200mA,能够处理中小功率级别的信号与负载。

其技术亮点在于较高的电流增益(hFE最小值180 @ 2mA, 5V)与较低的饱和压降(700mV @ 2.5mA, 100mA),这确保了高效的电流控制能力和在导通状态下的低功耗。同时,200MHz的过渡频率使其适用于中频信号处理。尽管产品状态为停产,它依然是理解经典晶体管应用和进行特定维护、原型设计时的可靠选择。

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