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BD238

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,BD238的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BD238的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BD238是一款由ST意法半导体设计生产的PNP型双极性功率晶体管,采用经典的TO-225AA(TO-126)通孔封装,以其坚固的物理结构和良好的散热特性,在工业和消费电子领域有着长期的应用历史。该器件基于成熟的硅基工艺,其核心架构围绕一个高压、中电流的PNP型双极结型晶体管构建,内部通过优化的掺杂和结区设计,实现了在高达80V的集电极-发射极电压下稳定工作,同时集电极连续电流能力达到2A,为线性放大和开关控制应用提供了可靠的基础。

在功能特性上,该晶体管展现出针对功率应用的关键优化。其集电极-发射极饱和压降在典型工作条件下(如Ic=1A, Ib=100mA)仅为600mV,这一较低的饱和压降意味着在导通状态下器件自身的功耗较低,有助于提升整体系统的能效和热管理表现。同时,器件在1A集电极电流和2V集电极-发射极电压条件下,直流电流增益(hFE)最小值为25,这为驱动电路的设计提供了明确的增益参数,确保了在宽泛工作点下的电流放大能力可预测且稳定。其高达25W的集电极最大耗散功率和150°C的最高结温,赋予了它较强的过载承受能力和在高温环境下工作的潜力。

从接口与电气参数来看,BD238作为三端器件,其引脚定义符合标准TO-126封装规范,便于在PCB上进行布局和焊接。关键参数如80V的VCEO击穿电压使其适用于市电整流后或工业电源总线等存在较高电压摆幅的场合。集电极截止电流(ICBO)最大为100A,表明了器件在关断状态下的漏电流特性,这对于要求低待机功耗的应用是一个重要考量。用户可通过正规的ST代理渠道获取其完整的数据手册,以进行精确的电路设计和热仿真。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和可靠的性能使其在过去及现有的许多设备中仍扮演着重要角色。其典型的应用场景包括线性稳压电源中的调整管、音频功率放大器的输出级、电机驱动电路中的低压侧开关,以及各种需要中功率电平控制的通用开关和放大电路。在这些应用中,它常被用于处理中压、中电流的模拟信号或作为负载的开关控制元件,其通孔封装形式也使其在对可靠性要求较高或需要额外散热措施的场合中备受青睐。

  • 型号:BD238
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值:25 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取BD238的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BD238是ST意法半导体推出的一款PNP型功率双极性晶体管,采用TO-126通孔封装。该器件核心参数包括80V的集电极-发射极击穿电压和2A的连续集电极电流能力,使其适用于中压、中电流的功率处理场景。

其技术亮点在于较低的饱和压降(典型值600mV @ 1A)和25W的最大功耗,这有助于提高能效并简化散热设计。最小直流电流增益(hFE)为25 @ 1A,2V,提供了稳定的放大特性。这些参数共同使其成为线性稳压、音频放大及通用开关电路中可靠的功率控制元件。

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