BD679A

BD679A是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）设计生产的NPN达林顿功率晶体管。该器件采用经典的达林顿对管架构，将两个NPN晶体管以复合连接方式集成在单一芯片上。这种结构通过第一级晶体管的放大电流驱动第二级晶体管，从而实现了极高的整体电流增益，使其能够以极小的基极驱动电流控制较大的集电极负载电流，显著简化了前级驱动电路的设计。

该晶体管的核心电气性能突出，其集电极-发射极击穿电压高达80V，最大集电极连续电流为4A，最大功耗达到40W。其最显著的特性在于极高的直流电流增益，在典型工作条件下（Ic=2A， Vce=3V），hFE最小值可达750，这确保了在驱动感性或重负载时仍能保持优异的开关控制效率。同时，其集电极截止电流被控制在极低的500A水平，有助于降低待机功耗。饱和压降方面，在Ic=2A， Ib=40mA的条件下，VCE(sat)最大值为2.8V，这为设计者评估其在开关应用中的导通损耗提供了明确依据。

器件采用坚固的TO-225AA（亦称TO-126）通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结温最高可承受150°C，确保了在恶劣环境下的可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商进行采购。其接口形式为标准的三引脚（发射极、基极、集电极）布局，便于在电路板上安装和焊接。

凭借其高电压、大电流、高增益及强驱动能力，BD679A非常适用于需要中功率开关或线性放大的场合。典型应用包括各类电源电路中的开关调整管、电机驱动控制器、音频功率放大器的输出级、继电器或电磁阀的驱动电路，以及UPS和逆变器系统中的功率开关模块。其稳健的设计使其成为工业控制、汽车电子（非核心安全领域）和消费类电源设备中值得信赖的功率解决方案。

• 型号:BD679A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.8V @ 40mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 2A，3V
• 功率 - 最大值:40 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
• 想获取BD679A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BD679A是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-126通孔封装。该器件集成了高击穿电压（80V）与大电流处理能力（4A），最大功耗达40W，专为中高功率应用设计。

其核心优势在于极高的电流增益，最小hFE为750（@2A， 3V），能以微小输入电流有效控制大负载，显著简化驱动电路。同时，较低的饱和压降与截止电流优化了开关效率与功耗表现，结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。