BU406

BU406是ST意法半导体推出的一款NPN型硅功率双极性晶体管，采用经典的TO-220-3通孔封装，以其高耐压、大电流承载能力和坚固的物理结构，在功率开关和线性放大领域建立了可靠的应用记录。该器件基于成熟的平面工艺制造，其核心架构旨在实现高压环境下的稳定工作，集电极-发射极击穿电压高达200V，集电极电流连续工作能力达到7A，最大功耗为60W，结温最高可承受150°C，确保了在严苛电气条件下的长期可靠性。

在功能特性上，BU406展现出作为功率开关管的优秀性能。其饱和压降典型值较低，在集电极电流为5A、基极电流为500mA的条件下，V_CE(sat)最大值仅为1V，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件具备10MHz的过渡频率，使其不仅适用于中低速的开关应用，也能胜任一定频率范围内的线性放大任务。其设计兼顾了开关速度与抗冲击能力，内部结构优化了电流分布，有助于防止二次击穿，提升使用安全性。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取原装正品，保障设计的一致性与可靠性。

从接口与参数来看，该晶体管采用标准的三引脚TO-220封装，引脚排列清晰，便于在散热器上安装以实现更好的热管理。其集电极截止电流最大值为5mA，体现了良好的关断特性。虽然其直流电流增益(h_FE)的具体最小值未在通用规格书中明确标定，需参考具体工作点的曲线图，但这并不影响其在设计完善的驱动电路下发挥稳定的功率控制功能。其参数组合定义了一个适用于工业和消费电子领域的通用型功率解决方案。

在应用场景方面，BU406因其200V的高耐压和7A的电流能力，曾广泛应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动控制、UPS系统以及音频功率放大器的输出级。它尤其适合需要承受较高电压应力的斩波、逆变和继电器驱动电路。尽管其零件状态已标注为停产，意味着ST已推出更先进的替代产品，但该型号在大量存量设备维护、特定成本敏感型设计或对经典电路方案复刻的场合中，依然具有重要的参考价值和使用需求。

• 型号:BU406
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 200V 7A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:7 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:200 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 500mA，5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
• 功率 - 最大值:60 W
• 频率 - 跃迁:10MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 想获取BU406的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BU406是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用TO-220封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力，包括高达200V的集射极击穿电压和7A的连续集电极电流，最大功耗为60W，使其能够胜任高压、大电流的开关与控制任务。

该器件在5A集电极电流下的饱和压降最大值为1V，有助于降低导通损耗，提升效率。同时，10MHz的过渡频率使其也能应用于中频放大电路。其设计注重在高压环境下的可靠性与坚固性，结温最高可达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定工作。