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BU808DFI

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
原厂封装:封装:ISOWATT-218
优势价格,BU808DFI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BU808DFI的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BU808DFI是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用经典的ISOWATT-218-3通孔封装。该器件集成了两个双极结型晶体管(BJT)以达林顿结构配置,这种设计显著提升了电流增益,使其能够在较低的基极驱动电流下控制较大的集电极负载电流,特别适用于需要高电压、大电流开关或线性放大的功率应用场景。

该晶体管的核心优势在于其700V的高集射极击穿电压8A的最大集电极电流能力,结合达林顿结构提供的高电流增益(hFE最小值60 @ 5A, 5V),使其能够高效驱动重负载。其饱和压降典型值较低,在5A集电极电流、500mA基极电流条件下,Vce(sat)最大值仅为1.6V,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体能效。器件最大功耗为52W,并支持高达150°C的结温工作,展现了良好的功率处理能力和热可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

在电气接口与参数方面,BU808DFI表现出色。其集电极截止电流低至400A,有助于降低关断状态下的漏电。尽管产品信息中未标注跃迁频率,但其设计重点明确针对中低频功率开关与线性调整应用。ISOWATT-218封装不仅提供了坚固的机械结构,其设计也利于散热,方便安装在散热器上以应对高功率耗散。这些特性共同构成了一个稳定、高效的功率开关解决方案。

基于其高压、大电流及高增益的特性,BU808DFI非常适用于离线式开关电源(SMPS)中的开关元件、电子镇流器、电机控制驱动器、UPS(不间断电源)系统以及工业自动化设备中的功率转换级。它在需要可靠执行开关动作或提供功率放大的场合,如继电器替代、加热器控制或照明镇流器中,都能发挥关键作用,为设计工程师提供了一个经久耐用的功率处理核心。

  • 型号:BU808DFI
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOWATT-218
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):700 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):400A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5A,5V
  • 功率 - 最大值:52 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:ISOWATT-218-3
  • 供应商器件封装:ISOWATT-218
  • 想获取BU808DFI的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BU808DFI是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用ISOWATT-218-3通孔封装。该器件设计用于高压、大电流应用,其核心参数包括高达700V的集射极击穿电压和8A的最大集电极电流,能够处理最大52W的功率。

作为达林顿管,它在5A集电极电流和5V集射极电压下提供最小60倍的直流电流增益,并在此条件下饱和压降最大仅为1.6V,实现了高效率的功率切换与控制。其工作结温高达150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行,适用于各类功率开关与驱动电路。

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