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BU810

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BU810的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BU810的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BU810是ST意法半导体推出的一款高压、大电流NPN达林顿功率晶体管,采用经典的TO-220-3通孔封装。其核心架构基于达林顿对管设计,将两个NPN晶体管以复合形式连接,这种结构显著提升了器件的电流放大能力,使其能够在较低的基极驱动电流下控制高达7安培的集电极电流,同时维持较高的输入阻抗,简化了前级驱动电路的设计。

该器件具备出色的高压耐受特性,其集电极-发射极击穿电压最高可达400V,这使其能够稳定工作在工业级AC-DC电源转换、电机驱动等存在高压冲击的应用环境中。高达75W的最大功耗能力结合150°C的最高结温,赋予了其强大的功率处理与散热冗余,确保了在恶劣工况下的长期可靠性。其饱和压降在7A电流、700mA基极电流条件下典型值为3V,这一参数对于评估其在开关应用中的导通损耗至关重要,有助于系统工程师进行精确的能效计算与热设计。

在接口与参数方面,BU810作为一款通孔器件,便于在原型验证和需要高可靠性的板卡上进行焊接与安装。其集电极截止电流最大值为1mA,体现了良好的关断特性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过市场验证的性能,使其在存量设备维护和特定设计方案中仍有其价值。对于需要此类高性能分立器件的用户,可以通过正规的ST中国代理渠道咨询库存或替代方案。

其典型应用场景广泛覆盖了需要高压开关与线性放大的领域。例如,在开关模式电源(SMPS)中,它常被用于构成离线式变换器的初级侧开关;在工业控制领域,适用于电磁阀、继电器线圈或小型直流电机的驱动电路;此外,在音频功率放大器的输出级、电子镇流器以及UPS不同断电源系统中,也能见到其作为功率控制核心元件的身影。其稳健的设计使其成为工程师在构建高功率密度、高可靠性电力电子系统时的经典选择之一。

  • 型号:BU810
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 700mA,7A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BU810的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BU810是ST意法半导体生产的一款高压大电流NPN达林顿功率晶体管。该器件采用TO-220封装,核心优势在于其400V的高集射极击穿电压7A的最大集电极电流能力,能够胜任严苛的功率开关与驱动任务。

75W的最大功耗150°C的最高工作结温确保了在高温环境下的稳定运行与功率处理能力。典型的3V饱和压降(@7A, 700mA)参数,为开关应用中的导通损耗评估提供了明确依据。这款器件适用于需要高压开关和线性电流放多的各类电源与工业控制应用。

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