BUL1403ED

BUL1403ED是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性功率晶体管，采用经典的TO-220-3通孔封装，专为需要高击穿电压和中等电流处理能力的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺技术，通过优化的芯片布局和结终端设计，实现了高达650V的集电极-发射极击穿电压，同时确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。该器件内部集成了快速恢复特性，有助于降低开关过程中的损耗，使其在硬开关拓扑中也能保持良好的性能表现。

在功能特性方面，BUL1403ED的集电极最大连续电流额定值为3A，饱和压降典型值较低，在Ic=500mA、Ib=50mA条件下最大仅为2.5V，这有助于提升系统的整体效率，减少导通损耗。其直流电流增益（hFE）在Ic=400mA、Vce=3V时最小值为15，提供了足够的驱动能力，简化了基极驱动电路的设计。值得注意的是，该器件标称最大功耗为80W，结合高达150°C的结温工作能力，使其能够承受较高的瞬态功率应力，具备良好的鲁棒性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过正规的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

从接口与关键参数来看，其TO-220封装提供了优异的导热路径，便于安装散热器以应对高功率应用。集电极截止电流最大为1mA，体现了器件在关断状态下的良好隔离特性。虽然产品状态标注为停产，意味着它已进入生命周期末期，但其规格参数在众多现有的工业电源、照明镇流器、电机控制以及离线式开关电源（SMPS）的功率级设计中仍具有参考价值和应用基础。这些应用场景通常要求功率开关管能够承受电网电压波动带来的高压应力，并处理数安培的负载电流。

综合其电气参数，BUL1403ED定位为一款适用于高压、中功率领域的经典双极性晶体管解决方案。其设计平衡了电压耐受能力、电流处理能力与开关特性，尽管在现代应用中可能逐渐被更高效的MOSFET或IGBT所替代，但其简洁的驱动要求和成本效益在某些对性价比和电路简易性要求较高的场合，依然具备特定的技术优势和应用延续性。

• 型号:BUL1403ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 650V 3A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 50mA，500mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 400mA，3V
• 功率 - 最大值:80 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BUL1403ED是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。该器件核心规格包括650V的集射极击穿电压和3A的最大集电极电流，使其能够胜任要求高耐压和中等电流能力的功率处理任务。

其关键电气特性表现为较低的饱和压降（最大2.5V @ 500mA）和80W的最大功耗能力，结合TO-220封装良好的散热特性，确保了在开关状态下的高效能与运行可靠性。这些参数共同定义了它在线性调节、电源开关及电机驱动等高压应用中的实用价值。