BUL3N7

BUL3N7是ST意法半导体推出的一款高压、中功率NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件设计用于在严苛的开关和线性放大应用中提供可靠的性能，其核心架构基于成熟的平面工艺技术，确保了在高压条件下的稳定性和坚固性。集电极-发射极击穿电压高达400V，使其能够从容应对工业电源、电机控制及照明系统中常见的电压应力和开关瞬变。

该晶体管具备出色的电流处理能力，最大集电极电流（Ic）为3A，最大功耗可达60W，结合其高达150°C的结温（TJ）工作范围，展现了强大的功率输出和热管理潜力。其饱和压降特性尤为突出，在Ic=1A、Ib=200mA的条件下，Vce(sat)典型值仅为500mV，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提升整体系统的能效。直流电流增益（hFE）在Ic=700mA、Vce=5V时最小值为18，提供了足够的驱动能力，同时保持了良好的线性控制特性。

在接口与参数方面，BUL3N7的封装形式为标准的TO-220，便于安装在散热器上以优化热性能。其集电极截止电流（Icbo）最大值为100A，体现了器件在关断状态下的低泄漏特性，有助于降低待机功耗。虽然该产品系列目前已处于停产状态，但其设计规格和性能参数在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过ST授权代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

从应用场景来看，凭借400V的高耐压和3A的电流能力，BUL3N7非常适用于离线式开关电源（SMPS）中的开关元件、电子镇流器、AC-DC转换器以及通用电机驱动电路。其坚固的构造和宽温度范围也使其成为工业控制、家用电器和汽车电子（如点火系统、继电器驱动）等环境中线性放大或中速开关功能的可靠选择，尤其在对成本敏感且要求长期可靠性的设计中曾占据一席之地。

• 型号:BUL3N7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 3A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:18 @ 700mA，5V
• 功率 - 最大值:60 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BUL3N7是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性晶体管，采用TO-220封装。其核心规格包括400V的集射极击穿电压和3A的最大集电极电流，能够胜任中高压、中功率的开关与放大任务。

该器件在1A集电极电流下的饱和压降仅为500mV，有助于降低导通损耗，提升效率。同时，其最大功耗为60W，最高结温可达150°C，展现了良好的功率处理能力和热可靠性。这些参数使其在电源转换、电机控制等需要耐压与电流处理能力的应用中是经典的设计选择之一。