BULK128

BULK128是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管（BJT），采用经典的NPN结构设计。其核心架构基于成熟的硅基工艺，旨在提供高耐压与强电流驱动能力之间的可靠平衡。该器件集电极-发射极击穿电压高达400V，集电极电流最大可达4A，使其能够在高压侧开关或线性放大电路中稳定工作，内部结构优化了载流子传输路径，以降低饱和压降并提升功率处理效率。

该晶体管的功能特点突出其在高功率环境下的鲁棒性。其饱和压降典型值仅为500mV（在1A，4A条件下），这意味着在导通状态下功耗较低，有助于提升整体系统能效。同时，器件在2A集电极电流和5V集电极-发射极电压下的直流电流增益（hFE）最小值为14，确保了足够的电流驱动能力。最大功耗55W与高达150°C的结温（TJ）使其能够承受严苛的热负荷，适合持续或脉冲式功率应用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取相关技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，BULK128采用通孔安装形式的SOT-82封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于在传统PCB板上进行焊接与固定。其集电极截止电流最大为250A，体现了在关断状态下的低泄漏特性，有助于降低待机功耗。尽管该器件属于“晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个”系列，且目前已处于停产状态，但其参数组合在特定领域仍具有应用价值。

从应用场景来看，BULK128适用于需要高压开关或线性调节的工业与消费电子领域。例如，它可用于开关电源的功率开关级、电子镇流器、电机驱动电路以及音频放大器的输出级。其400V的耐压特性使其能在离线式电源的初级侧发挥作用，而4A的电流能力足以驱动中小型电机或负载。尽管现代设计可能倾向于使用MOSFET等新型器件，但BULK128凭借其简单可靠的驱动特性，在一些对成本敏感或需要替换旧设计的场合中仍是一个可行的选择。

• 型号:BULK128
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-82-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 4A SOT-82-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 1A，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:14 @ 2A，5V
• 功率 - 最大值:55 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:SOT-82
• 供应商器件封装:SOT-82-3
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BULK128是ST意法半导体生产的一款高压、大电流NPN双极性晶体管。该器件采用SOT-82通孔封装，核心参数包括400V集射极击穿电压、4A最大集电极电流以及55W的最大功耗，设计用于高功率开关与放大应用。

其技术亮点在于优异的饱和特性，在4A电流下饱和压降仅500mV，有助于降低导通损耗。同时，器件支持高达150°C的结温，具备良好的热鲁棒性。这些特性使其适用于电源转换、电机控制等需要高压处理能力的工业场景。