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BULT106D

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 230V 2A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,BULT106D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BULT106D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BULT106D是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-225AA(TO-126-3)通孔封装,为设计工程师提供了一款在高压、大电流条件下具备出色可靠性的分立半导体解决方案。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,通过优化的掺杂和结深控制,实现了230V的高集射极击穿电压2A的最大集电极电流能力的平衡,确保了器件在开关和线性放大应用中的坚固性。

该晶体管的功能特点突出表现在其强大的功率处理能力和宽泛的工作温度范围上。其最大功耗可达32W,结合高达150°C的结温(TJ)额定值,使其能够在恶劣的热环境下稳定运行。在饱和导通状态下,Vce饱和压降典型值仅为1.2V(条件为Ic=2A, Ib=400mA),这意味着在导通时产生的功率损耗较低,有助于提升整体系统的能效。同时,其集电极截止电流(Icbo)最大值被严格控制在250A以内,有效降低了关断状态下的漏电功耗。

在电气参数方面,BULT106D的直流电流增益(hFE)在典型工作点(Ic=1A, Vce=5V)下最小值为10,这一特性使其特别适合驱动要求大电流但增益需求相对适中的负载。其稳健的电气规格,包括高耐压和低饱和压降,使其成为构建高效功率开关电路的理想选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以联系ST中国代理获取相关的产品资料和库存信息。

在应用场景上,得益于其高耐压、大电流和良好的功率耗散能力,该器件广泛应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动控制电路以及各类工业控制设备中的功率接口和驱动级。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备的维护、备件更换以及某些对成本敏感且设计定型的长生命周期产品中,它仍然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:BULT106D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 230V 2A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):230 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 400mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大值:32 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取BULT106D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BULT106D是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用TO-225AA通孔封装。其核心优势在于高达230V的集射极击穿电压2A的连续集电极电流能力,能够承受严苛的电气应力。

该器件具备32W的最大功耗150°C的最高工作结温,确保了在高温环境下的可靠运行。其低至1.2V的Vce饱和压降(@2A, 400mA)有效降低了导通损耗,提升了开关效率。这些特性使其成为高压开关和功率驱动应用的坚实选择。

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