BULT118M

BULT118M是ST意法半导体推出的一款高压、中功率双极性晶体管（BJT），采用经典的NPN结构设计。其核心架构基于成熟的硅基工艺，旨在提供稳定的高压开关和线性放大能力。该器件采用通孔安装的TO-225AA（也称为TO-126-3）封装，具有良好的机械强度和散热特性，其集电极-发射极击穿电压高达400V，最大集电极电流为2A，使其能够从容应对工业级应用中的高压环境。

该晶体管的功能特点突出其在高电压下的可靠性与效率。高达400V的V_CEO使其成为离线式开关电源、电子镇流器和电机控制电路中功率开关部分的理想选择。其饱和压降在典型工作条件下（如400mA基极电流、2A集电极电流时）最大仅为1.5V，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统的能效。同时，器件在高温下表现出色，最高结温（T_J）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与关键参数方面，BULT118M提供了明确的电气特性界定。其直流电流增益（h_FE）在500mA集电极电流和5V集电极-发射极电压条件下，最小值为10，这为驱动电路的设计提供了明确的参考。集电极截止电流最大为250A，表明了其在关断状态下的良好绝缘特性。最大功耗为45W，结合其封装的热性能，用户在设计散热方案时需予以充分考虑。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，仍可获取库存以满足现有设计的持续生产与维护需求。

在应用场景上，BULT118M主要面向需要高压处理能力的功率电子领域。它非常适合用于AC-DC电源转换器的初级侧开关、日光灯和LED驱动器的镇流器电路、以及家用电器或工业设备中的通用电机驱动和继电器驱动。其坚固耐用的特性也使其在UPS（不间断电源）和逆变器等对可靠性要求极高的系统中占有一席之地，为工程师提供了一个经过验证的高压解决方案。

• 型号:BULT118M
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 2A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 400mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 500mA，5V
• 功率 - 最大值:45 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
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BULT118M是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管，采用TO-225AA（TO-126-3）通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的价值：400V的集射极击穿电压和2A的集电极电流能力，使其能够胜任离线电源和电机控制等场景的功率处理需求。

该器件在效率与可靠性方面表现平衡，其最大饱和压降仅为1.5V（@400mA, 2A），有助于降低导通损耗。同时，高达150°C的最高工作结温确保了其在高温环境下的稳定运行。尽管产品状态为停产，但其参数组合仍为许多现有高压设计提供了一个成熟、可靠的晶体管解决方案。