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BUTW92

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 250V 45A TO-247-3
原厂封装:封装:TO-247-3
优势价格,BUTW92的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUTW92的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUTW92是ST意法半导体推出的一款高性能NPN功率双极结型晶体管(BJT),采用经典的TO-247-3通孔封装,专为高电压、大电流的功率开关和线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,通过优化的芯片布局和结终端设计,在保证高击穿电压的同时,有效降低了饱和压降和热阻,实现了功率密度与可靠性的良好平衡。该器件内部集成了一个由大面积发射极和集电极结构组成的功率单元,配合低阻值的金属化层,确保了在大电流工况下优异的载流能力和稳定的电气特性。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上。集电极-发射极击穿电压高达250V,使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场景中的高压应力。连续集电极电流额定值达到45A,峰值处理能力更强,结合最大180W的功耗能力,使其成为高功率密度设计的理想选择。其饱和压降在15A基极电流、60A集电极电流的严苛条件下仍能保持在1V以下,这意味着在导通状态下的功率损耗极低,有助于提升整体系统效率。此外,其直流电流增益(hFE)在60A、3V条件下最小值为9,提供了充足的驱动能力,简化了前端驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面,BUTW92提供了稳健的电气性能边界。集电极截止电流最大仅为50A,确保了关断状态下的低泄漏特性。其结温(TJ)最高可工作在150°C,宽泛的工作温度范围增强了其在恶劣环境下的适应性。TO-247封装具有出色的散热性能,便于安装大型散热器以应对持续的高功率耗散。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性,BUTW92广泛应用于要求严苛的工业与汽车电子领域。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的高压侧开关、电机控制驱动器(如变频器、伺服驱动器)中的功率输出级、不间断电源(UPS)的逆变模块以及大功率线性稳压器和音频放大器。其高耐压、大电流和良好的开关特性,使其成为构建高效、可靠功率系统的关键元器件之一。

  • 型号:BUTW92
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 250V 45A TO-247-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):250 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 15A,60A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):9 @ 60A,3V
  • 功率 - 最大值:180 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 想获取BUTW92的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUTW92是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极晶体管,采用TO-247封装,是一款有源、高性能的单个分立器件。其核心卖点在于卓越的功率处理能力,集电极-发射极击穿电压高达250V,最大连续集电极电流达45A,最大功耗为180W,能够满足高电压、大电流的严苛应用需求。

该器件在高压开关和线性放大应用中表现出色,其饱和压降在15A Ib、60A Ic条件下低于1V,有助于降低导通损耗,提升系统效率。同时,其最小直流电流增益(hFE)在60A、3V条件下为9,提供了足够的驱动能力。器件最高结温为150°C,确保了在高温环境下的稳定工作,适用于工业电源、电机驱动等高可靠性领域。

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